2025年高职单招《电子技术基础》每日一练试题08月25日

2025-08-25 16:54:49 来源:勒克斯教育网

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2025年高职单招《电子技术基础》每日一练试题08月25日,可以帮助我们积累知识点和做题经验,进而提升做题速度。通过高职单招每日一练的积累,助力我们更容易取得最后的成功。

判断题

1、甲类功放电路的特点是输入信号在整个周期内,每个放大管都有电流通过。()

答 案:对

解 析:甲类功放电路的特点是输人信号在整个周期内,每个放大管都有电流通过,即每个管子都设置了合适的静态工作点,这种状态下效率只有30%左右,最高不超过50%。故正确。

2、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。()

答 案:错

解 析:在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值与输入电压的方向和大小有关。故错误。

3、逻辑代数的“0”和“1”代表两种不同的逻辑状态,并不表示数值的大小。()

答 案:对

解 析:逻辑代数中每个变量的取值不是0就是1。0和1不表示数值的大小,而是代表两种不同的逻辑状态。故正确。

单选题

1、七段数码显示译码电路输出端的个数为()  

  • A:8
  • B:7
  • C:16
  • D:10

答 案:B

解 析:七段数码显示译码电路有7个输出端。故B正确。

2、测得某晶体三极管处于放大状态,三个电极之间的电压分别为UBE=-0.2V,UCE=-5V,UBC=4.8V,则此晶体管的类型为()  

  • A:PNP锗管
  • B:NPN锗管
  • C:PNP硅管
  • D:NPN硅管

答 案:A

解 析:由|UBE|=0.2V,可判断该晶体三极管为锗管。晶体三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置,即NPN型管VE<VB<VC,PNP型管VC<VB<VE。由题中UBE=-0.2V知VB<VE;由UCE=-5V知VC<VE,由UBC=4.8V知VB>VC,故该晶体三极管为PNP型锗管。故A正确。

3、硅二极管正向电压从0.65V增加10%,则其正向电流的增加将()  

  • A:等于10%
  • B:大于10%
  • C:小于10%
  • D:基本不变

答 案:B

解 析:二极管正向电压从0.65V增加10%后变为0.715V,则二极管导通,二极管在导通后电压与电流的关系近似为非线性指数关系,电流变化更快,因此其正向电流的增加将大于10%。故B正确。

主观题

1、某三极管的输出特性曲线如图所示,求: (1)当IB=60μA,uCE=20V时,三极管的直流电流放大系数; (2)电路的交流电流放大系数; (3)三极管的反向击穿电压U(BR)CEO  

答 案:(1)如图所示,过uCE=20V作垂线,垂线与IB=60μA的交点即为管子的静态工作点Q,Q点对应的Ic=3mA,因此直流电流放大系数为 (2)由题图可知取,则交流电流放大系数 (3)反向击穿电压U(BR)CEO是指当IC突然变大时所对应的UCE的值,则从三极管的输出特性曲线可知U(BR)CEO=60V。  

2、用代数法化简逻辑函数式  

答 案:

3、求解如图所示由硅三极管构成的放大电路的静态工作点。  

答 案:题图甲、乙所示电路的直流通路如图所示。 题图甲中,基极电压 集电极电流 因此UCEQ=VCC-ICQRc-IEQRe≈VCC-ICQ(Rc+Re)=10V-1.88×(3+1.1)V=2.29V。 题图乙中,基极电压 集电极电流 因此UCEQ=VCC-ICQRc-IEQRe≈VCC-ICQ(Rc+Re)=10V-6.33×(0.62+0.18)V≈4.94V。  

填空题

1、组合逻辑电路在功能上的特点是任意时刻的输出状态直接由()决定,与电路原来的状态(),电路()记忆能力。  

答 案:该时刻的输入信号;无关;无

解 析:组合逻辑电路在功能上的特点是任意时刻组合逻辑电路的输出状态仅取决于该时刻的输入信号,与电路原来的状态无关,电路无记忆能力。

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