2025年高职单招每日一练《电子技术基础》11月1日

考试总分:10分

考试类型:模拟试题

作答时间:60分钟

已答人数:1092

试卷答案:有

试卷介绍: 2025年高职单招每日一练《电子技术基础》11月1日专为备考2025年电子技术基础考生准备,帮助考生通过每日坚持练习,逐步提升考试成绩。

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试卷预览

  • 1. 在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()

    A

    B

  • 2. 与门和非门通常具有两个或两个以上的输入端和一个输出端。()

    A

    B

  • 3. 对于正弦波振荡器来说,只要不满足相位平衡条件,即使放大电路的放大倍数很大,也不可能产生正弦波振荡。()

    A

    B

  • 1. 若逻辑表达式,则下列表达式一定正确的是()  

    A

    B

    C

    D以上均不正确

  • 2. 理想运放的共模抑制比KCMR和开环差模输出电阻Ro分别为()  

    A∞;∞

    B0;∞

    C∞;0

    D0;0

  • 3. 设计一个十进制计数器至少需要的触发器的个数为()  

    A6

    B3

    C10

    D4

  • 1. 如图所示为含有理想运算放大器的电路。 (1)写出uo表达式; (2)如果R1=R2=R3=R4,则uo等于多少。
  • 2. 由理想集成运放构成的电路如图所示。 (1)当开关S1、S3闭合,S2断开时,uo为多少? (2)当开关S1、S2闭合,S3断开时,uo为多少? (3)当开关S1、S2、S3均闭合时,uo为多少?  
  • 3. 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①②③的电流大小和方向如图所示,试判断晶体三极管的类型(NPN或PNP),说明①②③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并求出电流放大系数β。  
  • 1. 三极管有三个电极,分别是()、()、(),分别用字母()、()、()表示。基区和发射区之间的PN结称为(),基区和集电区之间的PN结称为()。