首页 课程学习 题库 APP下载 报名官网入口
注册 帮助中心 合作联系
当前位置：首页 > 考试 > 学历类 > 高职单招 > 电子信息类 >
2025年高职单招每日一练《电子信息类》9月10日

2025年高职单招每日一练《电子信息类》9月10日

考试总分：10分

考试类型：模拟试题

作答时间：60分钟

已答人数：1914

试卷答案：有

试卷介绍： 2025年高职单招每日一练《电子信息类》9月10日专为备考2025年电子信息类考生准备，帮助考生通过每日坚持练习，逐步提升考试成绩。

开始答题

试卷预览

判断题 单选题 多选题 主观题
  • 1. 对容量大的电容器，在检测前要先进行放电处理。()

    A对

    B错

  • 2. 钳形电流表测量完毕后，应把选择开关拨到空挡或最大电流量程一挡，以防下次使用时因忘记选择量程而烧坏电流表。()

    A对

    B错

  • 3. 各中断发出中断请求信号，都会标记在IP寄存器中。(  )

    A对

    B错

  • 1. MCS-51单片机共有()个特殊功能寄存器。  

    A16

    B21

    C24

    D32

  • 2. MOVX A,@RO指令中，源操作数采用(  )寻址方式，指令作用在(  )区间。  

    A寄存器，外部数据存储器

    B直接，程序存储器

    C寄存器间接，内部数据存储器

    D寄存器间接，外部数据存储器

  • 3. 将十进制数365化为二进制数是()。  

    A101001101

    B101101101

    C101100101

    D101101110

  • 1. 组合逻辑电路的特点是()。  

    A输出信号仅取决于该时刻的输入信号

    B输出与输入间含有记忆单元

    C输出与输入间不含任何记忆单元和反馈单元

    D输出信号与电路的原态有关

  • 2. 能使逻辑函数为1的变量ABC的取值组合有()。  

    A010

    B101

    C111

    D001

  • 3. 不是组合逻辑电路的特点是()。  

    A含有记忆元件

    B输入、输出间没有反馈电路

    C电路无记忆功能

    D全部由与门构成

  • 1. N沟道JFET的转移特性如图1-2-2-28所示。试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压VP。  
相关试卷
相关题库