2025年高职单招每日一练《电子技术基础》9月2日
考试总分：10分
考试类型：模拟试题
作答时间：60分钟
已答人数：1418
试卷答案：有
试卷介绍： 2025年高职单招每日一练《电子技术基础》9月2日专为备考2025年电子技术基础考生准备，帮助考生通过每日坚持练习，逐步提升考试成绩。
试卷预览
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1. 三极管的集-射极间反向饱和电流ICEO小，说明此晶体三极管热稳定性差。（）
A对
B错
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2. 理想集成运放的输出电阻越小越好。（）
A对
B错
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3. 当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。()
A对
B错
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1. N型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。()
A空穴
B三价元素
C五价元素
D四价元素
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2. 如图所示逻辑电路，若输出端F=1,则ABCD的取值组合为()
A0000
B0101
C1110
D1111
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3. 微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是=()
A二进制
B八进制
C十进制
D十六进制
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1. 用代数法化简逻辑函数式
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2. 计算两个二进制数1010和0101的积。
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3. 如图所示硅二极管电路，试分别用二极管理想模型和恒压降模型分析图中的二极管是导通还是截止，并求出Uo。
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1. 4位移位寄存器串行输入时经（）个脉冲后，4位数码能全部移入寄存器中。
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