2025年高职单招每日一练《电子类》8月17日

考试总分:10分

考试类型:模拟试题

作答时间:60分钟

已答人数:1668

试卷答案:有

试卷介绍: 2025年高职单招每日一练《电子类》8月17日专为备考2025年电子类考生准备,帮助考生通过每日坚持练习,逐步提升考试成绩。

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试卷预览

  • 1. CMOS门电路电源极性可反接。  

    A

    B

  • 2. 对称三相电路的计算,仅需计算其中一相,即可推出其余两相。()

    A

    B

  • 1. 抗干扰能力较差的触发方式是()

    A同步触发

    B上升沿触发

    C下降沿触发

    D主从触发

  • 2. 下列真值表对应图2所示电路中的图()

    A(1)

    B(2)

    C(3)

    D(3)和(4)

  • 1. 磁化现象的正确解释有()  

    A磁畴在外磁场的作用下转向形成附加磁场

    B磁化过程是磁畴回到原始杂乱无章的状态

    C磁畴存在与否跟磁化现象有关

    D各种材料的磁畴数目基本相同,只是有的易于转向形成附加磁场

  • 2. 我国的低压供电线路大多采用三相四线制,下列说法正确的有()  

    A任意两根供电线间的电压为380V

    B任意两根供电线间的电压为220V

    C任意一根相线与相线间的电压为380V

    D任意一根相线与中性线间的电压为220V

  • 1. 将一个阻值为48.4Ω的电炉,接到电压为的电源上,求:(1)通过电炉的电流为多少;(2)写出电流的解析式。
  • 2. 电路如图6所示,试画出各自的输出波形,设初始状态为0。
  • 1. 电流强度的表达式中,时间的国际单位制单位为(),电荷量的国际单位制单位为()。
  • 2. 寄存器是由()和()组成,它的功能是()和()等,按其逻辑功能分为()和()两大类。