2025年高职单招每日一练《电子技术基础》7月3日

考试总分:10分

考试类型:模拟试题

作答时间:60分钟

已答人数:856

试卷答案:有

试卷介绍: 2025年高职单招每日一练《电子技术基础》7月3日专为备考2025年电子技术基础考生准备,帮助考生通过每日坚持练习,逐步提升考试成绩。

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试卷预览

  • 1. 结型场效晶体管的漏极和源极可调换使用。()

    A

    B

  • 2. 基极分压式射极偏置电路的特点是可以有效地稳定放大电路的静态工作点。()

    A

    B

  • 3. 若两个函数具有不同的逻辑表达式,则这两个逻辑函数必然不相等。()

    A

    B

  • 1. 测得NPN型硅三极管三个电极的电位分别为:VB=6.7V、VC=12V、VE=6V,则该管工作在()  

    A截止区

    B饱和区

    C放大区

    D击穿区

  • 2. 描述放大器对信号电压的放大能力,通常使用的性能指标是()  

    A电流放大倍数

    B功率放大倍数

    C电流增益

    D电压放大倍数

  • 3. 3线-8线译码器是()译码器。()  

    A三位二进制

    B三进制

    C三一八进制

    D八进制

  • 1. 写出如图所示电路的逻辑函数表达式,并分析其逻辑功能。  
  • 2. 画出如图甲所示由与非门组成的RS触发器输出端Q和的电压波形,已知输入端的电压波形如图乙所示。  
  • 3. 绝缘栅型场效晶体管的输出特性曲线如图所示,试求: (1)夹断电压UGS(off)(VP); (2)当uDS=5V时,漏极饱和电流IDSS  
  • 1. 对二极管而言,一般希望其反向饱和电流越()越好,说明其单向导电性好。